Американский исследовательский центр имени Бирка создает новый тип памяти под названием FeTRAM — ферротранзисторная память.  FeTRAM или ferroelectric transistor random access memory разрабатывается по нанотехнологии. Разработчики утверждают, что память FeTRAM независима от употребления энергии и будет способна сохранять информацию неограниченное время.

Во время работы новая память будет употреблять только 1% от энергетических затрат современных флеш-накопителей. Также известно, что FeTRAM сможет читать записи намного быстрее, чем это делает статистическая память SRAM.

Такие прогнозы кажутся невероятными. Однако исследователи, под тщательным руководством профессора Йорга Аппенцеллера, уже испытали свои теории на практике. Эксперименты доказали, что данную технологию возможно реализовать. И в скором будущем компьютеры выйдут на новую ступень эволюции.